活性屏离子氮化是一种很好的阴极技术。真空室中装有与阴极高压相连的金属网筒作为活动屏，工件放在活动屏内。活性屏被气体离子轰击并加热，然后工件被活性屏的热辐射加热到氮化温度。在浸渗过程中，工件被活性屏包围，处于电悬浮状态，离子轰击活性屏而不是工件表面，解决了DC离子渗氮技术中的边缘效应、空心阴极效应和引弧问题。采用活性屏离子氮化技术，可以对不同形状的工件进行处理，方便地测量工件的温度，还可以对奥氏体不锈钢等耐火材料进行处理。在主动屏电离过程中，氮原子从气相到工件表面的传输机制尚未达成共识，这阻碍了该技术的应用和发展。

活性屏离子氮化机理的研究：
关于活性屏离子氮化的电离机理，人们最初提出了溅射沉积模型，即离子轰击活性屏并将其熄灭FN和FN沉积在工件表面，然后活性原子按照FeNFeNFeNFe的顺序释放出来，氮原子被工件吸收，完成氮化过程。该模型是通过改进克尔提出的DC离子氩的溅射沉积模型得到的，但Kbel模型中的FeN至今尚未观察到，因此用改进的Kbel模型解释有源屏幕的离子氮化存在一定的局限性。
活性屏离子氮化经过更深入的实验研究，人们提出了溅射吸附解吸模型，认为使用钢活性屏时，活性屏本身会熔化，产生一定厚度的铁负化合物。由于离子溅射，一些铁是负的。